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SITRI揭秘:ST高性能6轴加速度计和陀螺仪双芯片LSM6DS3工艺解析

2016年06月01日 技术分析 ⁄ 阅读 2,289 次
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前言:

STMicroelectronics(简称ST)公司成功开发了iNEMO Ultra产品-始终开启(Always-On)、高性能6轴加速度计和陀螺仪双芯片LSM6DS3,该芯片提供业界领先的杂讯性能,同时采用先进且高效的系统功耗管理技术,测试结果证明,在低功耗模式下,该产品能效比同级最好的产品还高20%。下面SITRI就为大家带来LSM6DS3的工艺解析摘要。

封装平面:

ST的LSM6DS3的封装尺寸为2.99 mm X 2.52 mm X 0.83 mm,采用了LGA封装,共14个pin脚。

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封装X-Ray:

ST的LSM6DS3里共有2颗芯片,分别是MEMS芯片(3轴加速度计和3轴陀螺仪)、和一颗加速度计和陀螺仪共用的ASIC芯片,一共使用了40条打线(如下图所示)。

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封装纵向:

从下图ST的LSM6DS3的封装纵向可以看出里面2颗芯片的大致分布。加速度计和陀螺仪MEMS位于上面,而共用的ASIC芯片则分布在下面(如下图所示)。

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同时,纵向分析也得出了LSM6DS3中的MEMS采用了传统的含铅玻璃熔融键合技术(如下图所示)。

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ASIC芯片:

ST的LSM6DS3加速度计和陀螺仪MEMS的共用ASIC芯片尺寸为2.66 mm X 1.96 mm,厚度为64.54 um,采用了7层平坦化铝布线制程,其中Metal6为铜布线,含有1层多晶的CMOS技术,工艺节点为0.11 um。

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加速度计MEMS工艺分析:

ST的LSM6DS3的加速度计MEMS部分的SEM照片样张如下图所示,SITRI还做了加速度计部分的纵向分析,纵向样张见下面第二张图,更多的平面细节和纵向细节请看SITRI的LSM6DS3的工艺分析报告。

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陀螺仪MEMS工艺分析:

ST的LSM6DS3的陀螺仪MEMS部分的SEM照片样张如下图所示,SITRI也做了陀螺仪部分的纵向分析,纵向样张见下面第二张图,更多的平面细节和纵向细节请看SITRI的LSM6DS3的工艺分析报告。

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总结:

以上是对于ST的LSM6DS3芯片的工艺分析概览,最后奉上这颗芯片的数据总结。

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欲知工艺分析详情,请见SITRI的LSM6DS3的工艺分析报告,请联系sales@sitrigroup.com

(本文由SITRI工程服务部原创,未经许可禁止转载)

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