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IC Insights:2018年存储规模突破1600亿美元

2018年03月16日 物联应用 ⁄ 阅读 661 次
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来源:内容来自「MoneyDJ」,谢谢。

DRAM、NAND型快闪存储近来报价走势超优,科技市调机构IC Insights为此决定将今(2018)年的全球IC市场成长预估值拉高近一倍,从原本的8%一口气上修至15%。

IC Insights 14日发表研究报告指出,今年DRAM均价远优于预期,估计将较去年跳增36%,延续去年大涨81%的上升走势,而去年均价跳涨45%的NAND,今年报价也有望续增10%。相较之下,DRAM、NAND今年的位元出货量成长率则只将达到1%、6%。

dram

基于上述预测,IC Insights认为,今年DRAM的全球市场规模有望成长37%,远优于先前估计的13%,而NAND则将成长17%、也高于先前估计的10%。

报告称,2018年DRAM市场的整体规模预料会达到996亿美元,比NAND的621亿美元大幅超出375亿美元,成为IC业界规模最大的产品类别。从该机构制作的图表可以看出(见左图),过去五年来,DRAM已成为左右全球IC成长的关键因素。

美国存储大厂美光(Micron Technology)受惠DRAM报价看俏、NAND型快闪存储毛利增加,去年股价狂飙87.57%后,今年以来又续涨45.38%。

barron`s.com、CNBC、路透社等外电报导,Nomura Instinet分析师Romit Shah 3月12日发表研究报告指出,年初以来,存储报价仅下滑3%,跌幅远不如过去三年的Q1平均跌幅(10~20%),预估未来六个月报价有望上扬10%。研究显示,供应商应该会在Q2、Q3开始涨价,跟市场原本预测的「未来四季报价每季会跌5-6%」大相径庭。

Shah认为,美光股价顺利突破3-4个月的盘整期,目前正处于另一波大涨行情的初始阶段。他提出了几项对美光有利的因素,当中包括DRAM报价有望自第2季起恢复扬升走势、公司将在5月首度宣布股利发放和库藏股计划、NAND的毛利率持续扩张,以及有关整并的讨论增多等。

DRAM缺货一整年价格逐季涨

全球最大存储厂韩国三星电子正在进行半导体产能大挪移,以提升产能运用效率,三星虽然决定在韩国华城Line 17及平泽Line 18扩大先进制程DRAM产能,但三星同时却将华城Line 11及Line 13的旧制程DRAM产能,移转生产CMOS影像感测器,有意挤下日本索尼、抢占CMOS影像感测器龙头宝座。

业界认为,三星在增加DRAM新制程产能之际,同时缩减旧制程产能,总投片量今年及明年都不会增加太多,只利用制程转换至1y/1z纳米来提高位元出货成长率。由此来看,DRAM市场今年恐将缺货一整年,价格逐季调涨已无可避免。

业界指出,今年总投片量增加幅度十分有限,DRAM价格3月见到明显涨势,季度涨幅可望上看5~10%,优于先前预期的5%,第二季价格可望再续涨5~10%。法人看好南亚科(2408)、华邦电(2344)、威刚(3260)将直接受惠。

根据韩国外电报导,韩系存储厂三星以及SK海力士已调涨第一季DRAM报价,涨幅约达5~10%,包括标准型、伺服器、利基型、行动式等DRAM价格都全面上涨。

第一季是传统淡季,DRAM价格在淡季调涨,代表市场供不应求情况未获纾解,其中又以伺服器DRAM缺货最为严重。

业界人士透露,资料中心需求强劲,搭载的伺服器DRAM价格比智慧型手机采用的行动式DRAM高出2成,所以三大DRAM厂上半年产能都移转到伺服器DRAM。标准型PC DRAM则在英特尔、超微的新平台推出后,带动需要搭载8GB以上高容量DRAM的电竞PC热卖,PC DRAM需求强劲且价格持续上涨,目前价格几乎是去年同期的2倍。

为解决DRAM缺货问题,龙头大厂三星已宣布扩产计画。三星将利用位于韩国平泽Line 18的2楼空间扩增DRAM产能,设备已完成装机并准备启动生产,华城Line 17的部份产线也由NAND Flash转为生产DRAM,下半年将启动生产。三星的扩产计画一度让市场担忧DRAM市场好日子是不是快过去了,但事实上,三星却同时缩减旧制程DRAM产能。

外电报导指出,三星已将原本用来生产DRAM的华城Line 11旧制程生产线,在去年底改为生产CMOS影像感测器,预计今年底改装完毕,随后华城Line 13旧制程DRAM生产线也会跟着移转成为CMOS影像感测器生产线。而值得注意之处,在于三星的CMOS影像感测器将用来投产堆叠DRAM及类比逻辑芯片的三层(3-layer stacked)影像感测器。

 

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