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IC Insights:全球半导体支出有望破千亿美元

2018年05月23日 传感动态 ⁄ 阅读 233 次
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来源:内容来自 TechSugar,谢谢。

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市场调研机构IC Insights大幅提升2018年全球半导体资本支出预期。在2018年3月,该机构对2018年全球半导体资本支出的预期是增长8%,但根据收集到的最新数据,IC Insights将全行业资本支出预期提升了6个百分点至14%,如果预测成真,2018年全球半导体资本支出将首次超过1000亿美元,仅两年时间,资本支出比2016年同比增幅达到53%。

虽然仍未披露其2018年全年资本支出预算,但三星的确说过,相比2017年,2018年在半导体上的资本支出要收缩。2017年三星在半导体领域豪掷242亿美元,为其过去三年平均资本支出的两倍以上,也是史上单一公司资本支出最高记录,适当收缩实属正常。但从实际表现来看,三星丝毫没有显示出收缩的迹象,仍然摆出“脚踩油门”要大干一场的架势,2018年第一季度三星半导体部门资本支出达到67.2亿美元,略高于过去三个季度资本支出的平均值,几乎是2016年一季度资本支出的两倍。从2017年第二季度到2018年第一季度,四个季度三星半导体资本支出合计达到266亿美元!

IC Insights预计,2018年三星半导体部门资本支出额在200亿美元左右,比2017年减少42亿美元,但从一季度数据来看,该机构认为三星半导体全年资本支出很有可能超过200亿美元。

由于存储器市场(DRAM+NAND闪存)依然非常强势,所以SK海力士2018年资本支出预算有望提升至115亿美元,比2017年支出(81亿美元)同比增长42%。SK海力士资本支出主要用于两处,一是韩国青州工厂M15(3D NAND)投产,另一个是无锡DRAM工厂扩产。为了赶在景气周期赚钱,SK海力士不断加快工期,青州工厂预计将提前至2018年底投产,而无锡工厂新增产线投产时间也从预定的2019年初,提前到2018年底。

TechSugar注意到,在2017年之前,全球半导体资本支出高峰出现在2011年,当年资本支出为674亿美元。2017年资本支出达到900亿美元,同比增长34%,其中三星(242亿美元)贡献最多,扣除三星全行业增长为18%,因此IC Insights称之为“三星泡沫”。IC Insights将2018年资本支出增长的原因归结为“中国效应”,近期长江存储、华力、中芯国际等纷纷搬入设备,算是一个注脚。不过不少行业人士也表示,2018年入场的设备,多数都被计入到2017年营收。这一轮扩产周期制造厂商相对比较激进,未来市场能否消化释放出的产能尚待观察,从设备业角度来看,多对当前行情持谨慎乐观态度,有厂商预测2019年资本支出应该会有较大收缩。

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