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Fairchild新型场截止IGBT产品FGH75T65UP工艺解析

2016年12月16日 技术分析 ⁄ 阅读 971 次
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前言:

目前,全球的IGBT市场主要由英飞凌、三菱电机和富士电机掌控,但飞兆半导体的IGBT产品就性能而言,和其他三家主流厂商产品相比毫不逊色。下面,SITRI就飞兆半导体开发出的新型场截止沟道IGBT产品FGH75T65UP_F085做进一步的解析。这颗产品主要应用于光伏逆变器、UPS、电焊机和数码发电机等。

封装平面:

Fairchild的FGH75T65UP_F085采用了TO247的封装形式,封装尺寸为36.71 mm X 15.62 mm X 4.74 mm。

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封装X-Ray:

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芯片基本信息:

下图为这颗IGBT芯片的OM正面照,芯片尺寸为5.36 mm X 5.24 mm。

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IGBT芯片Die Corner如下图所示。

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下图是芯片表面连接Gate Poly的PAD,其中直角边的长宽尺寸为412 um X 469 um。

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芯片纵向分析:

从纵向分析图来看,这颗芯片总厚度约为92 um。有一层金属和一层钝化层。对于具体的纵向分析以及各种线宽尺寸请见SITRI的FGH75T65UP_F085的工艺分析报告,在这里就不做赘述。

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芯片纵向染色分析(Cell和Guard Ring):

对于IGBT的工艺分析,怎么能少了纵向染色,这里就截取了SITRI对这颗芯片的工艺分析报告中Cell区域和GuardRing区域的纵向染色分析,各有一张,见下图。具体掺杂的深度和尺寸,请详见SITRI报告。

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芯片背金纵向材料分析:

背金也是IGBT芯片当中一项重要的工艺,下面是这颗芯片的背金材料分析图。

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总结:

以上是对于FGH75T65UP_F085的工艺解析,最后奉上这颗芯片的基本信息汇总。欲知工艺分析的详细数据或相关信息请见SITRI的工艺分析报告。

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(本文由SITRI原创,未经允许禁止转载)

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