登录 | 注册
现在的位置: 首页 > 技术分析 > 正文

苹果A9芯片深度工艺解析

2017年05月10日 技术分析 ⁄ 阅读 1,035 次
关键字: ,

前言:

苹果公司在2015年9月推出了iPhone6s系列手机,其自带的A9处理器,CPU性能比A8提升70%,图形性能提升90%,为何A9芯片带来如此强大的性能,它到底采用了何种工艺技术,下面就让SITRI为大家带来A9芯片的深度工艺解析概览。

封装平面:

苹果A9芯片的封装尺寸为14.48mm X 14.80mm X 1.00mm。

1

封装X-Ray:

苹果A9芯片的X-Ray图片如下图所示。

2

A9芯片基本信息:

下图为这颗A9芯片的OM正面照,芯片尺寸为8.82mm X 10.71 mm。

3

A9芯片的Die Mark如下图所示。

4

A9芯片的Die Corner如下图所示。

5

A9芯片的Pad Size相关信息如下。

6

A9芯片纵向SEM分析:

SITRI也对A9芯片做了基本纵向分析。这颗芯片采用了13层金属布线制程,其中Metal0到Metal11为平坦化铜布线制程,Metal12(Top Metal)为铝布线制程。另外,这颗芯片采用了14nm FinFET技术。基本纵向也得出了A9芯片的裸片厚度为88.36um。

7

下图展示了A9芯片的金属层次,显示共有13层金属层,顶层为铝布线,其余都为铜布线。

8

A9的纵向分析不仅仅是基本工艺分析,SITRI还做了每层金属层,每层介质层(包括钝化层),每层通孔的纵向分析以及详细的量测,详情请见A9的详细工艺分析报告。

A9芯片平面剥层分析:

虽然A9是14nm FinFET的小线宽芯片,SITRI也对其进行了剥层分析,下图为从Poly到M12的每一层的剥层样张。

9

10 11 12

A9芯片纵向TEM分析:

由于A9芯片用的是14nm的FinFET工艺,线宽尺寸非常小,已经达到SEM观察的极限了,SITRI就对A9芯片做了纵向的TEM分析,如下图所示。

13

总结:

以上是SITRI对于A9芯片的工艺解析概览,最后奉上信息汇总。详细信息请看SITRI的A9的工艺分析报告。

14

×