登录 | 注册
现在的位置: 首页 > 技术分析 > 正文

英飞凌RC-IGBT第三代产品IHW20N120R3深度解析

2015年12月03日 技术分析 ⁄ 阅读 1,447 次
关键字:

前言:

众所周知,英飞凌拥有备受市场肯定及适合电磁炉应用的谐振切换IGBT技术。SITRI将要为大家介绍的就是经过进一步优化,切换和导通损耗更低的第三代RC-IGBT产品-IHW20N120R3。相比第二代RC-IGBT,第三代RC-IGBT能降低20%的切换损耗,进而能减少装置热应力,延长产品使用寿命并提高可靠性。

封装平面:

英飞凌的IHW20N120R3采用了PG-TO247的封装形式,封装尺寸为20.68 mm X 15.85 mm X 5.04 mm。

1

封装X-Ray:

2

芯片基本信息:

下图为这颗IGBT芯片的OM正面照,芯片尺寸为4.19 mm X 4.19 mm。

3

芯片Die Corner如下图所示。

4

下图是芯片表面连接Gate Poly的PAD,其中直角边的长宽尺寸为623 um X 623 um。

5

芯片去层到Poly平面分析:

除常规芯片顶层样张拍摄外,SITRI也对这颗芯片做了去层分析。下图第一张彩图是去层到Poly的OM平面照片,第二张黑白图是去层到Poly的SEM平面照片,可以清楚的看出每一个重复cell以及cell里的Contact和Trench的平面形貌。

6

7

芯片纵向分析:

从纵向分析图来看,这颗芯片总厚度约为122 um。有一层金属和一层钝化层。对于具体的纵向分析以及各种线宽尺寸请见SITRI的IHW20N120R3的工艺分析报告,在这里就不做赘述。

8

9

芯片纵向染色分析(Cell和Guard Ring):

对于IGBT的工艺分析,怎么能少了纵向染色,这里就截取了SITRI对这颗芯片的工艺分析报告中Cell区域和GuardRing区域的纵向染色分析,各有一张,见下图。具体掺杂的深度和尺寸,请详见SITRI报告。

10

11

芯片背金纵向材料分析:

背金也是IGBT芯片当中一项重要的工艺,下面是这颗芯片的背金材料分析图。

12

总结:

以上是对于IHW20N120R3的深度解析,最后奉上这颗芯片的基本信息汇总。另有芯片背面平面掺杂信息和具体的平面纵向尺寸信息请见SITRI的IHW20N120R3的工艺分析报告。

13

(本文由SITRI工程信息部原创提供,未经许可禁止转载)

×