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三星Galaxy S6后置图像传感器工艺分析概览

2016年03月07日 技术分析 ⁄ 阅读 1,006 次

前言:

在SITRI拆解了Samsung Galaxy S6之后,其自主研发的ISOCELL CMOS图像传感器成为了一大亮点,人们不禁疑惑,为何Samsung Galaxy S6的后置摄像头能拍摄出如此完美逼真的照片,下面SITRI就为大家揭开Samsung ISOCELL CMOS图像传感器的神秘面纱。

后置摄像头模组照片:

Samsung Galaxy S6的后置摄像头模组请见下图,尺寸为28.05 mm X 15.50 mm X 5.70 mm。

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后置图像传感器Die Photo:

将模组拆开之后,就能看到最主要的芯片-图像传感器,如下图所示,其尺寸为7.77 mm X 5.82 mm。

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后置图像传感器Die Mark:

将后置图像传感器左下角放大,就可以看到上面的Die Mark-S5K2P2XX。

die mark

后置图像传感器Die Corner:

下图是后置图像传感器的Die Corner信息。

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后置图像传感器Pad Size:

后置图像传感器的Pad Size尺寸为78 um X 78 um,Pad Pitch为120 um。

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后置图像传感器纵向分析:

在做纵向分析前,SITRI先要向大家简单解释一下ISOCell到底是个什么意思。首先,ISOCell所指的并不是某一个单独的技术,而是三星汇集多种设计的新一代CMOS架构的统称。我们知道图像传感器的感光部分其实就是一个一个的像素单元,而当光线照射到感光部分时,相邻的像素和像素之间会因为光线以及电流产生不可避免的串扰,这些串扰就会降低画面的锐度,形成所谓的噪点。而ISOCell最简单的理解就是隔离在像素和像素之间的墙,有了ISOCell这层墙后,就可以最大程度的避免像素间的干扰,使得串光问题减少将近30%,获得更强的抗噪能力,所拍出的照片纯净度就会被大大的提升。

下图左显示整颗后置图像传感器的厚度为175.93 um。下图右可以看到这颗后置图像传感器的整体纵向结构,而图上显示的Deep Trench Isolation就是我们所说的ISOCell的墙,而在这些墙下面,可以看到倒置的导线电路,其采用了5层平坦化铜布线制程,含有1层多晶的CMOS技术,工艺节点为65nm。具体的Deep Trench Isolation深度,每层布线的厚度以及多晶层的SEM放大照片请见SITRI的Galaxy S6 Image Sensor工艺分析报告。

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总结:

以上是对于Samsung Galaxy S6后置图像传感器的工艺分析概览,最后奉上其数据总结。欲知工艺分析详情,请见SITRI的Samsung Galaxy S6 Image Sensor的工艺分析报告。后续SITRI还会为大家带来SONY的BSI图像传感器的具体技术分析以及与ISOCell图像传感器的工艺比较,敬请期待。

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(本文由SITRI工程服务部原创,未经许可禁止转载)

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